Транзистор 2N3055 – мощный биполярный транзистор n-p-n типа, который может быть использован в различных устройствах: в источниках питания, в аудио усилителях, в схемах переключения и т.д. В данной статье приведены его подробные электрические характеристики в соответствии с документацией производителя «ON Semiconductor».

Транзистор 2N3055

Наверно многие радиолюбители слышали о 2N3055 транзисторе, поскольку он широко используется в уже течение многих лет. Его металлический корпус идеален для рассеивания большого количества тепла при помощи хорошего радиатора.

Комплементарной парой транзистора 2N3055 является транзистор MJ2955. Он имеет такие же характеристики, но имеет p-n-p структуру.

Если вы хотите собрать усилитель, вы можете использовать эту пару транзисторов. В этом случае, напряжение питания усилителя не должно превышать +/- 30 вольт.

Распиновка транзистора 2N3055

Распиновка транзистора 2N3055 в его классическом металлическом корпусе: корпус является коллектором, а два оставшихся вывода – это база и эмиттер.

Транзистор 2N3055, как и MJ2955, выпускается также в плоском корпусе (TO-218 и TO-247), который проще монтировать на радиаторе: TIP3055 и TIP2955 соответственно. Здесь в отличие от полностью металлического корпуса рассеиваемая мощность чуть ниже, 90 ватт против 115 ватт.

Характеристики транзистора 2N3055

  • Напряжение коллектор-эмиттер Vкэ : 60В
  • Ток коллектора в непрерывном режиме : 15А
  • Коэффициент усиления по току: 20-70 (при Iк = 4А)
  • Напряжение насыщения Uкэ: 1,1В при Iк макс = 4А, Iб = 400мА
  • Напряжение насыщения Uкэ: 3,0В Iк макс = 10А, Iб = 3,3А
  • Напряжение база-эмиттер Uбэ (Iк = 4A, Vкэ = 4В): 1,5В
  • Обратное напряжение база-эмиттер: 7В
  • Рассеиваемая мощность при Uкэ = 30В: 115 Вт
  • Рабочая температура: от -50 ° С до + 200 ° C
  • Полоса пропускания (частота перехода): 2,5 МГц

Аналог 2N3055

Отечественным аналогом 2N3055 может послужить транзистор 2Т808А

Применение транзистора 2N3055 (MJ2955)

  • Транзистор 2N3055 в стабилизированных линейных источниках питания (0-30В до 5A)
  • В паре 2N3055 и MJ2955 в аудио усилителях с питанием +/- 30 вольт

Скачать datasheet 2N3055 (unknown, скачано: 2 723)

Биполярный транзистор 2N3055 – описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N3055

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 117 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

Корпус транзистора: TO3

2N3055 Datasheet (PDF)

1.1. 2n3055.pdf Size:422K _rca

2N3055(NPN), MJ2955(PNP) Preferred Device Complementary Silicon Power Transistors Complementary silicon power transistors are designed for general-purpose switching and amplifier applications. Features http://onsemi.com • DC Current Gain – hFE = 20-70 @ IC = 4 Adc • Collector-Emitter Saturation Voltage – 15 AMPERE VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc POWER TRANSISTORS • Exc

Читайте также:  Фото проекты домов одноэтажных хай тек

2N3055A (NPN), MJ15015 (NPN), MJ15016 (PNP) MJ15015 and MJ15016 are Preferred Devices Complementary Silicon High-Power Transistors http://onsemi.com These PowerBaset complementary transistors are designed for high power audio, stepping motor and other linear applications. These 15 AMPERE devices can also be used in power switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc-to-dc

2N3055ESMD Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 0.89 (0.035) min. Ceramic Surface Mount 3.70 (0.146) 3.70 (0.146) 3.60 (0.142) 3.41 (0.134) 3.41 (0.134) Max. Package for High Reliability Applications 1 3 Bipolar NPN Device. 2 VCEO = 60V IC = 15A 9.67 (0.381) All Semelab hermetically sealed products 9.38 (0.369) 0.50 (0.020) 0.26

1.5. 2n3055.pdf Size:130K _motorola

Order this document MOTOROLA by 2N3055/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN 2N3055 * Complementary Silicon Power PNP MJ2955* Transistors . . . designed for general�purpose switching and amplifier applications. *Motorola Preferred Device � DC Current Gain � hFE = 20�70 @ IC = 4 Adc � Collector�Emitter Saturation Voltage � 15 AMPERE VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc POWER TRANSISTORS

Order this document MOTOROLA by 2N3055/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN 2N3055 * Complementary Silicon Power PNP MJ2955* Transistors . . . designed for general�purpose switching and amplifier applications. *Motorola Preferred Device � DC Current Gain � hFE = 20�70 @ IC = 4 Adc � Collector�Emitter Saturation Voltage � 15 AMPERE VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc POWER TRANSISTORS

Order this document MOTOROLA by 2N3055A/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN Complementary Silicon 2N3055A High-Power Transistors * MJ15015 . . . PowerBase complementary transistors designed for high power audio, stepping motor and other linear applications. These devices can also be used in power switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc�to�dc converters, inverters, or M

Order this document MOTOROLA by 2N3055/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN 2N3055 * Complementary Silicon Power PNP MJ2955* Transistors . . . designed for general�purpose switching and amplifier applications. *Motorola Preferred Device � DC Current Gain � hFE = 20�70 @ IC = 4 Adc � Collector�Emitter Saturation Voltage � 15 AMPERE VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc POWER TRANSISTORS

2N3055 SILICON NPN TRANSISTOR n SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE DESCRIPTION The 2N3055 is a silicon epitaxial-base NPN transistor in Jedec TO-3 metal case. It is intended for power switching circuits, series and shunt regulators, output stages and high fidelity amplifiers. 1 2 TO-3 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Vo

2N3055 MJ2955 Complementary power transistors Features � Low collector-emitter saturation voltage � Complementary NPN – PNP transistors Applications � General purpose � Audio Amplifier 1 2 Description TO-3 The devices are manufactured in epitaxial-base planar technology and are suitable for audio, power linear and switching applications. Figure 1. Internal schematic diagram Tab

Читайте также:  Печь для сушки глины

2N3055A (NPN), MJ15015 (NPN), MJ15016 (PNP) MJ15015 and MJ15016 are Preferred Devices Complementary Silicon High-Power Transistors http://onsemi.com These PowerBaset complementary transistors are designed for high power audio, stepping motor and other linear applications. These 15 AMPERE devices can also be used in power switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc-to-dc con

2N3055(NPN), MJ2955(PNP) Preferred Device Complementary Silicon Power Transistors Complementary silicon power transistors are designed for general-purpose switching and amplifier applications. Features http://onsemi.com � DC Current Gain – hFE = 20-70 @ IC = 4 Adc � Collector-Emitter Saturation Voltage – 15 AMPERE VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc POWER TRANSISTORS � Excellent Sa

1.13. 2n3055.pdf Size:16K _utc

UTC 2N3055 SILICON NPN TRANSISTOR SILICON NPN TRANSISTORS The UTC 2N3055 is a silicon NPN transistor in TO-3 metal case. It is intended for power switching circuits, series and shunt regulators, output stages and high f >1.14. mj15015-16 2n3055a mj2955a.pdf Size:193K _mospec

1.15. 2n3055hv.pdf Size:240K _cdil

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company 2N3055HV NPN POWER TRANSISTOR TO-3 Metal Can Package Switching Regulator and Power Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCBO Collector Base Voltage ( Open Emitter) V 100 VCEO Collector Emitter Voltage (Open Base) V 100 VEBO Emitter Base Voltage V 7.

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company 2N3055 NPN SILICON PLANAR POWER TRANSISTORS MJ2955 PNP TO-3 Metal Can Package General Purpose Switching and Amplifier Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL UNITS VALUE Collector Base Voltage VCBO V 100 Collector Emitter Voltage VCEO V 60 Collector Emitter Voltage(RBE=100?)

1.17. 2n3055.pdf Size:237K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2N3055 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Complement to type MJ2955 ·DC Current Gain -hFE = 20–70 @ IC = 4 Adc ·Collector–Emitter Saturation Voltage – VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc ·Excellent Safe Operating Area APPLICATIONS ·Designed for general–purpose switching and amplifier applications. P

1.18. 2n3055a.pdf Size:33K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N3055A DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·DC Current Gain-hFE=20-70@IC = 4A ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.1 V(Max)@ IC = 4A ·Complement to Type MJ2955A APPLICATIONS ·Designed for high power audio, stepping motor and other linear applications. It can also be us

1.19. 2n3055.pdf Size:107K _inchange_semiconductor

Читайте также:  Устройство перегородок из стеклоблоков

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N3055 DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·DC Current Gain-hFE=20-70@IC = 4A ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.1 V(Max)@ IC = 4A ·Complement to Type MJ2955 APPLICATIONS ·Designed for general-purpose switching and amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=2

1.20. 2n3055h.pdf Size:31K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2N3055H DESCRIPTION ·Excellent Safe Operating Area ·DC Current Gain-hFE=20-70@IC = 4A ·Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.1 V(Max)@ IC = 4A APPLICATIONS ·Designed for general-purpose switching and amplifier Applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25?) SYMBOL PARAMETER VALU

1.21. 2n3055.pdf Size:156K _aeroflex

NPN Power Silicon Transistor 2N3055 Features • Available in JAN, JANTX, and JANTXV per MIL-PRF-19500/407 • TO-3 (TO-204AA) Package Maximum Ratings Ratings Symbol Value Units Collector – Emitter Voltage VCEO 70 Vdc Collector – Base Voltage VCBO 100 Vdc Emitter – Base Voltage VEBO 7.0 Vdc Base Current IB 7.0 Adc Collector Current IC 15 Adc Total Power Dissipation @ TA = 25 °C (

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Юмор:
Как много девушек хороших, но тянет что-то на плохих.

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора 2N3055.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора 2N3055 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор 2N3055
транзистором 2N3055;
транзистором 2N3713;
транзистором 2N3715;
транзистором 2N3716;
транзистором 2SD492;
транзистором 2SD878;
транзистором BDY20;
транзистором ECG130;
транзистором КТ8150А;
транзистором КТ819ГМ;

транзистором MJ2801;
транзистором MJ15015;
транзистором MJ481;
транзистором MJ480;
транзистором TK202A;
транзистором TK201;
транзистором TK200;
транзистором TK200A;
транзистором TA2403A;
транзистором TK201A;

Коллективный разум.

дата записи: 2015-11-06 10:42:54

дата записи: 2016-02-02 22:31:59

BDY73 – возможный аналог;
комментарий: разница в значении Ftmax и небольшая разница в значении Hfe;
пользователь: Рашид Имаев , дата записи: 2018-01-20 20:31:54

MJ2955 – комплементарная пара;
дата записи: 2015-01-05 16:51:09

Добавить аналог транзистора 2N3055.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 2N3055? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

ПОДЕЛИТЬСЯ

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ

Please enter your comment!
Please enter your name here